- молекулярно-пучковая эпитаксия
- Нанотехнологии: МЛЭ
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
молекулярно-пучковая эпитаксия
Смотреть что такое "молекулярно-пучковая эпитаксия" в других словарях:
Молекулярно-пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслон … Википедия
Молекулярно — пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… … Википедия
молекулярно-пучковая эпитаксия кремния — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… … Radioelektronikos terminų žodynas
Молекулярно-лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… … Википедия
Молекулярно — лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… … Википедия
Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой (от греч. επι на и ταξισ упорядоченность), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать… … Википедия
Жидкофазная эпитаксия — Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния (Метод Чохральского). Готовится шихта из… … Википедия
Газофазная эпитаксия — Газофазная эпитаксия получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных… … Википедия
Пар-жидкость-кристалл — Эта статья содержит незавершённый перевод с иностранного языка. Вы можете помочь проекту, переведя её до конца. Если вы знаете, на каком языке написан фрагмент, укажите его в этом шаблоне … Википедия
МЛЭ — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… … Википедия
Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы — Химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (анг. Metalorganic chemical vapour deposition) метод получения материалов, в том числе эпитаксиального роста полупроводников, путём термического разложения… … Википедия
